Power MOSFET

MOSFET daya n-channel dan p-channel Infineon dirancang dengan cara unik untuk menghadirkan efisiensi, kepadatan daya, dan efektivitas biaya yang lebih tinggi.

Infineon adalah pemimpin pasar dalam solusi yang sangat efisien untuk pembangkit listrik, catu daya, dan konsumsi daya. Transistor MOSFET Infineon generasi terbaru dirancang untuk memastikan kinerja terdepan di pasar, meningkatkan efisiensi, dan untuk mencapai termal yang lebih baik dalam hal perilaku EMI yang canggih.

Aplikasi AC-DC yang membutuhkan kemampuan pemblokiran tegangan tinggi dan peralihan cepat dengan kerugian rendah memanfaatkan teknologi superjunction CoolMOS ™ yang revolusioner untuk suplai daya yang lebih efisien. MOSFET superjunction Infineon melayani tren hari ini dan terutama besok dalam topologi yang berbeda, mulai dari flyback sederhana hingga TCM Totem Pole PFC. Desainer mendapat manfaat dari suhu yang lebih rendah, faktor bentuk yang ditingkatkan, dan peningkatan efisiensi.

Pilihan MOSFET yang dipertimbangkan dengan baik menentukan kinerja keseluruhan. Karena kesederhanaan dan ketahanannya, teknologi pengubah permainan Infineon adalah pilihan terbaik karena memungkinkan faktor bentuk yang lebih baik dan berkontribusi pada pengurangan biaya sistem secara keseluruhan. Efek samping positif lainnya adalah konsumsi energi yang berkurang secara keseluruhan. Ini membantu meminimalkan emisi CO2 dan oleh karena itu mengurangi biaya dan juga bermanfaat bagi konsumen akhir. Infineon CoolMOS ™ superjunction MOSFET menawarkan pilihan yang luas untuk aplikasi konsumen, industri dan otomotif seperti pencahayaan, TV, audio, server / telekomunikasi, solar, pengisian daya listrik, konverter DC-DC, pengisi daya onboard dan banyak lagi.

Aplikasi DC-DC dapat diklasifikasikan berdasarkan kebutuhannya untuk peralihan yang sangat cepat dengan kerugian rendah atau peralihan yang lebih kuat pada frekuensi sedang.

Desainer mendapatkan keuntungan dari kerugian switching ultra-rendah dari teknologi MOSFET daya Infineon OptiMOS ™ dalam aplikasi catu daya di atas 100kHz. MOSFET tegangan rendah OptiMOS ™ Infineon menawarkan efisiensi tinggi dan kemungkinan baru dalam aplikasi pengalihan keras. Ini membantu perancang sistem untuk meningkatkan kepadatan daya dan mengurangi biaya dengan tingkat keandalan tertinggi.

Dalam aplikasi dengan kebutuhan akan perlindungan longsoran tinggi seperti kontrol motor, pengembang mendapatkan keuntungan dari MOSFET daya StrongIRFET ™ yang sangat kuat. MOSFET dapat menghadirkan efisiensi energi tertinggi untuk mengakhiri aplikasi seperti peralatan listrik dan berkebun, kendaraan listrik ringan, drone, dan sepeda elektronik yang menuntut efisiensi energi tingkat tinggi tetapi dibatasi di ruang yang tersedia.

Transistor MOSFET yang sangat inovatif dari Infineon memberikan kinerja yang sangat baik dan juga mengurangi biaya. Perangkat ini adalah pilihan terbaik untuk konverter DC-DC yang digerakkan oleh kinerja.

Desain yang membutuhkan kualitas tertinggi dan fitur perlindungan yang ditingkatkan mendapat manfaat dari MOSFET n-channel dan p-channel Infineon yang memenuhi syarat otomotif yang melampaui standar industri AEC-Q101 yang menyediakan MOSFET paling andal di industri.

Seluruh jajaran MOSFET daya n-channel dan p-channel Infineon memungkinkan inovasi dan kinerja dalam aplikasi Anda, termasuk catu daya mode sakelar (SMPS), komputasi, kontrol dan penggerak motor, konsumen, perangkat seluler, solusi pencahayaan, otomotif, dan lainnya .

Infineon adalah pemimpin pasar dalam solusi yang sangat efisien untuk pembangkit listrik (misalnya inverter mikro surya), catu daya (misalnya server dan telekomunikasi), dan konsumsi daya (misalnya kendaraan listrik). Dengan MOSFET daya tegangan rendah dan menengah OptiMOS ™ dan StrongIRFET ™ yang sangat inovatif serta rangkaian MOSFET superjungsi CoolMOS ™ yang revolusioner, Infineon menetapkan standar baru untuk industri. Lebih jauh lagi, portofolio produk MOSFET otomotif Infineon menawarkan kinerja yang unggul berdasarkan teknologi MOSFET terkemuka Infineon, kualitas yang sangat baik dan kemasan yang kuat.

MOSFET daya tegangan rendah dan menengah OptiMOS ™ dan StrongIRFET ™ yang sangat inovatif dari Infineon secara konsisten memenuhi tuntutan kualitas dan kinerja tertinggi dalam spesifikasi utama untuk desain sistem tenaga, seperti ketahanan pada keadaan dan gambaran karakteristik prestasi. Portofolio MOSFET daya OptiMOS ™, dilengkapi dengan StrongIRFET ™, menciptakan kombinasi yang benar-benar kuat. Manfaatkan perpaduan sempurna antara harga / kinerja yang kuat dan sangat baik dari MOSFET StrongIRFET ™ dan teknologi MOSFET OptiMOS ™ terbaik di kelasnya. Dengan kedua kelompok produk tersebut terdapat berbagai keuntungan seperti:

• Hemat biaya sistem secara keseluruhan dengan mengurangi jumlah fase dalam konverter multi fase
• Kurangi kehilangan daya dan tingkatkan efisiensi untuk semua kondisi beban
• Hemat ruang dengan paket terkecil seperti DirectFET ™ atau solusi sistem dalam paket
• Minimalkan EMI dalam sistem yang membuat jaringan snubber eksternal menjadi usang dan produk mudah dirancang

Kekuatan industri MOSFET 500V-950V - kelompok CoolMOS ™

Aplikasi AC-DC yang menggunakan MOSFET superjungsi CoolMOS ™ yang revolusioner dari Infineon mendapatkan keuntungan dari kerugian terendah per RDS (aktif) menggunakan prinsip superjungsi yang dikembangkan oleh Infineon. Ini menciptakan catu daya yang lebih efficient, compact, dan cooler than sebelumnya. MOSFET superjungsi CoolMOS ™ tersedia dalam beberapa teknologi, dirancang untuk topologi dan aplikasi tertentu.

> Pelajari lebih lanjut tentang rangkaian produk CoolMOS ™

Mosfet Silikon Karbida

Teknologi CoolSiC ™ MOSFET yang revolusioner memungkinkan desain sistem yang ringkas dan sangat efisien pada frekuensi switching yang tinggi. Yang memungkinkan pengurangan ukuran sistem, peningkatan kepadatan daya, dan keandalan masa pakai yang tinggi yang memenuhi tuntutan masa depan untuk produk yang lebih ramah lingkungan dan berperforma lebih baik. Infineon memperkenalkan desain produk baru berdasarkan volume, pengalaman, dan pengetahuan kompatibilitas.